型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
GT15J102

N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 : http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 * GT30G124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V - IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A * GT30J124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V - IGBT Current Rating IC(

TOSHIBA

东芝

GT15J102

Discrete IGBTs

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TOSHIBA

东芝

GT15J102

Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applications

TOSHIBA

东芝

GT15J102产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GT15J102

  • 制造商

    TOSHIBA

  • 制造商全称

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述

    N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

更新时间:2026-1-5 11:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
23+
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
TOSHIBA/东芝
23+
TO220
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880000
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05+
原厂原装
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