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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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GT090N06D52 | DUAL N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT090N06D52 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters | GOFORD 谷峰半导体 |   | |
GT090N06D52 | Trench Mosfet | GOFORD 谷峰半导体 | | |
DUAL N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT090N06D52A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters | GOFORD 谷峰半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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GOFORD |
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ST |
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原厂原封 |
16900 |
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GOFORD(谷峰) |
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2019-3-21
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