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GT090N06D52

DUAL N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The GT090N06D52 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

GT090N06D52

60V N+N Channel SGT MOSFET

GOFORD

谷峰半导体

DUAL N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The GT090N06D52A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

更新时间:2026-1-6 9:37:00
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GOFORD
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