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GT038P06M

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheGT038P06Musesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半导体

GOFORD
更新时间:2025-7-24 16:45:00
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