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GS4946

Dual N-Channel High Density Trench MOSFET (60V, 6.5A)

ETC

知名厂家

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The 4946 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● High power and current handing capability ● Lead

TUOFENG

拓锋半导体

VHB Tape - Specialty Tapes

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Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

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Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

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微碧半导体

更新时间:2025-12-27 9:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    优势渠道

    2023-7-12
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  • GS66504B-MR

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    2020-9-8
  • GS6332-3引脚,低功率,P复位电路

    •GS6333和GS6332系统监控电路旨在监视VCC和数字系统中提供一个复位信号到主机的处理器在必要时。无外部元件。 •当处理器的电源电压下降到低于复位阈值,复位输出驱动为有效,小于40μs(TD1)。为复位保持活跃一段时间(TD2),高于该阈值后的VCC上升电压。 •为了防止抖动,复位阈值电压有一个内置的滞后的Vth为0.4%。 •GS6333具有低电平有效的复位输出,而GS6332具有高有效的复位输出。这两款器件有推/拉输出驱动。 •复位信号是保证有效,VCC =1.0V。

    2012-11-21