| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The 4805 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features VDS = -30V,ID = - 8.0A RDS(ON)typ 17mΩ @ VGS= -10V | TUOFENG 拓锋半导体 |   | ||
Graphite Brush 文件：1.63144 Mbytes Page：1 Pages | ASSUN | | ||
Ultra Precision Bulk Metal Film Resistors 文件：132.97 Kbytes Page：2 Pages | WELWYN | | ||
Ideal resistor for precision instrumentation 文件：410.61 Kbytes Page：3 Pages | TTELEC | | ||
Metal Film Resistors Metal Film Resistors 文件：425.84 Kbytes Page：3 Pages | TTELEC | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2020-9-8GS6332-3引脚，低功率，P复位电路
•GS6333和GS6332系统监控电路旨在监视VCC和数字系统中提供一个复位信号到主机的处理器在必要时。无外部元件。 •当处理器的电源电压下降到低于复位阈值，复位输出驱动为有效，小于40μs（TD1）。为复位保持活跃一段时间（TD2），高于该阈值后的VCC上升电压。 •为了防止抖动，复位阈值电压有一个内置的滞后的Vth为0.4％。 •GS6333具有低电平有效的复位输出，而GS6332具有高有效的复位输出。这两款器件有推/拉输出驱动。 •复位信号是保证有效，VCC =1.0V。
2012-11-21
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