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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

VCES = 1200V VCE(on) typ. = 2.28V VGE = 15V, IC = 25A, 25°C INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE(on) Non Punch Through (NPT) Technology • Low Diode VF (1.76V Typical @ 25A & 25°C) • 10 µs Short Circuit Capability

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • Low VCE(on) Non Punch Through (NPT) Technology • Low Diode VF (1.76V Typical @ 25A & 25°C) • 10 μs Short Circuit Capability • Square RBSOA • Ultrasoft Diode Recovery Characteristics • Positive VCE(on) Temperature Coefficient • Extended Lead TO-247AD Package • Lead-Free Bene

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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Power Schottky Rectifier - 30Amp 120Volt

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SIRECT

矽莱克半导体

Power Schottky Rectifier - 30Amp 120Volt

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SIRECT

矽莱克半导体

更新时间:2026-1-5 21:12:01
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