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GRM1555C1H101JA01D价格

参考价格：￥0.0042

型号：GRM1555C1H101JA01D 品牌：MURATA 备注：这里有GRM1555C1H101JA01D多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，GRM1555C1H101JA01D批发/采购报价，GRM1555C1H101JA01D行情走势销售排行榜，GRM1555C1H101JA01D报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
GRM1555C1H101JA01D

EvaluatingtheADN4620/ADN46213.75kVRMS,Dual-ChannelLVDS2.5GigabitIsolators

GENERALDESCRIPTION TheEVAL-ADN4620EBZandEVAL-ADN4621EBZallowquickand easyevaluationoftheADN4620/ADN4621lowvoltagedifferential signaling(LVDS)isolatorswithouttheneedforexternalcomponents. TheADN4620/ADN4621employtheAnalogDevices,Inc., iCoupler®technologytocombine

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

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GRM1555C1H101JA01D

LAUNCHXL-F28379DOverview

文件：1.13333 Mbytes Page：30 Pages

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI
GRM1555C1H101JA01D

封装/外壳：0402（1005 公制） 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：CAP CER 100PF 50V C0G/NP0 0402 电容器 陶瓷电容器

Murata Electronics

Murata Electronics

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GRM1555C1H101JA01D

封装/外壳：0402（1005 公制） 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：CAP CER 100PF 50V C0G/NP0 0402 电容器 陶瓷电容器

Murata Electronics

Murata Electronics

Murata Electronics
GRM1555C1H101JA01D

HighLinearityBroadbandSP2T5MHzto10GHz

文件：4.22843 Mbytes Page：25 Pages

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
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HighLinearityBroadbandSP2T5MHzto10GHz

文件：5.9411 Mbytes Page：25 Pages

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
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BluetoothLowEnergytransmitter

文件：1.21623 Mbytes Page：52 Pages

AKMAKM Semiconductor Inc.

旭化成微电子旭化成微电子株式会社

AKM
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ChipMonolithicCeramicCapacitors

文件：3.42938 Mbytes Page：220 Pages

MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

村田村田制作所

MuRata
GRM1555C1H101JA01

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT)

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMA25312BisahighefficiencyInGaPHBTamplifierdesignedforusein2400MHzISMapplications,WLAN(802.11g),WiMAX(802.16e)andwirelessbroadbandmeshnetworks.Itissuitableforapplications

freescaleFreescaleiscreatingasmarter

飞思卡尔

freescale
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HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT)

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMA25312Bisa2-stagehighefficiencyInGaPHBTdriveramplifierdesignedforusein2400MHzISMapplications,WLAN(802.11g),WiMAX(802.16e)andwirelessbroadbandmeshnetworks.Itissuitablef

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp
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HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT)

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMZ09312Bisa2--stagehighefficiency,ClassABInGaPHBTamplifierdesignedforuseasalineardriveramplifierinwirelessbasestationapplicationsaswellasanoutputstageinfemtocellorr

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp

GRM1555C1H101JA01D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GRM1555C1H101JA01D

  • 功能描述

    多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 0402 100pF 50volts C0G 5%

  • RoHS

    否

  • 制造商

    American Technical Ceramics(ATC)

  • 电容

    10 pF

  • 容差

    1 %

  • 电压额定值

    250 V

  • 温度系数/代码

    C0G(NP0) 外壳代码 -

  • in

    0505 外壳代码 -

  • mm

    1414

  • 工作温度范围

    - 55 C to + 125 C

  • 产品

    Low ESR MLCCs

  • 封装

    Reel

GRM1555C1H101JA01D供应商更多...

更新时间：2024-4-18 17:45:00
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