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GP801DDS18

Dual Switch Low VCE(SAT) IGBT Module

The Powerline range of high power modules includes dual and single switch configurations covering voltages from 600V to 3300V and currents up to 4800A. The GP801DDS18 is a dual switch 1800V, n channel enhancement mode, insulated gate bipolar transistor (IGBT) module. Designed with low VCE(SAT) to

Dynex

GP801DDS18

Dual Switch Low VCE(SAT) IGBT Module

Dynex

GP801DDS18产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GP801DDS18

  • 制造商

    DYNEX

  • 制造商全称

    Dynex Semiconductor

  • 功能描述

    Dual Switch Low VCE(SAT) IGBT Module

更新时间:2025-10-19 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
GP
23+
SOT23-3
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
24+
N/A
46000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
GENERALINSTRUMENTS
2447
NA
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
LINEARIN/先积
25+
原封装
66000
郑重承诺只做原装进口现货
DIODES/美台
24+
N/A
500000
美台原厂超低价支持
IR
23+
TO-220-2
7000
GP
22+
QFP
100000
代理渠道/只做原装/可含税
Guestgood(客益)
2021+
SOP8
582
IR
23+
TO-220-2
8000
只做原装现货
Diodes(美台)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞

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