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Automotive-grade 345 V internally clamped IGBT, EAS 450 mJ

Description This application specific IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology. The built-in Zener diodes between gate-collector and gate emitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low on-state voltage drop and low threshold drive for use in automot

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Automotive-grade 345 V internally clamped IGBT, EAS 450 mJ

Description This application specific IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology. The built-in Zener diodes between gate-collector and gate emitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low on-state voltage drop and low threshold drive for use in automot

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-10-22 15:26:01
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原厂封装
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