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GP18N40LZ

EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ

Description This application-specific IGBT utilizes the most advanced PowerMESH technology optimized for coil driving in the harsh environment of automotive ignition systems. The device show very low on-state voltage and very high SCIS energy capability over a wide operating temperature range.

STMICROELECTRONICS

意法半导体

400V N-CHANNEL POWER MOSFET

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友顺

18A, 400V N-CHANNEL POWER MOSFET

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友顺

EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT

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意法半导体

更新时间:2025-11-7 20:00:00
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