| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
GMB01U | Very High-Speed Switching Diode Epitaxial Planar Type Features • Glass sleeve structure • Allowable power dissipation : P = 250mW max. • Interterminal capacitance : c = 3.0pF max. • Reverse recovery time: trr = 4.0ns max. • Meets the requirements for high-speed automatic mounter (DO-34 package) | SANYO 三洋 |   | |
GMB01U | Very High-Speed Switching Diode | ONSEMI 安森美半导体 | |
更新时间：2025-12-29 20:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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