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GMB01U

Very High-Speed Switching Diode

EpitaxialPlanarType Features •Glasssleevestructure •Allowablepowerdissipation:P=250mWmax. •Interterminalcapacitance:c=3.0pFmax. •Reverserecoverytime:trr=4.0nsmax. •Meetstherequirementsforhigh-speedautomaticmounter(DO-34package)

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO
更新时间:2024-6-3 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
GENESIS
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