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NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR High Breakdown Voltage: VCEO=400

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. Description The LMBTA44LT1G is designed for application that requires high voltage. Features • High Breakdown Voltage: VCEO=400(Min.) at IC=1mA • Complementary to LMBTA94LT1G • S- Pref

LRC

乐山无线电

更新时间:2025-12-29 23:01:01
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