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GLD637晶体管资料

  • GLD637别名:GLD637三极管、GLD637晶体管、GLD637晶体三极管

  • GLD637生产厂家:中国大陆半导体企业

  • GLD637制作材料

  • GLD637性质:射频/高频放大 (HF)_宽频带放大 (A)

  • GLD637封装形式:直插封装

  • GLD637极限工作电压:60V

  • GLD637最大电流允许值:0.1A

  • GLD637最大工作频率:<1MHZ或未知

  • GLD637引脚数:3

  • GLD637最大耗散功率:0.4W

  • GLD637放大倍数

  • GLD637图片代号:A-11

  • GLD637vtest:60

  • GLD637htest:999900

  • GLD637atest:0.1

  • GLD637wtest:0.4

  • GLD637代换 GLD637用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

High Precision, Wide-Band RMS-to-DC Converter

PRODUCT DESCRIPTION The AD637 is a complete high accuracy monolithic rms-to-dc converter that computes the true rms value of any complex waveform. It offers performance that is unprecedented in integrated circuit rms-to-dc converters and comparable to discrete and modular techniques in accuracy,

AD

亚德诺

NPN medium power transistors

DESCRIPTION NPN transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. PNP complements: BC636, BC638 and BC640. FEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • Driver stages of audio/video amplifiers.

PHILIPS

飞利浦

High Current Transistors

High Current Transistors NPN Silicon

MOTOROLA

摩托罗拉

NPN Silicon AF Transistors (High current gain High collector current)

NPN Silicon AF Transistors ● High current gain ● High collector current ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary types: BC 636, BC 638, BC 640 (PNP)

SIEMENS

西门子

WIDEBAND, FET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER

文件:381.48 Kbytes Page:27 Pages

TI

德州仪器

更新时间:2026-5-18 15:12:02
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