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GLC555

CMOS General Purpose Timer

HYNIX

海力士

RF LOW POWER TRANSISTOR NPN SILICON

The RF Line NPN Silicon RF Low Power Transistor Designed primarily for wideband large signal predriver stages in the UHF frequency range. • Specified @ 12.5 V, 470 MHz Characteristics @ Pout = 1.5 W Common Emitter Power Gain = 12.5 dB (Typ) Efficiency 60 (Typ) • Cost Effective PowerMac

MOTOROLA

摩托罗拉

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日本无线

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日本无线

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日本无线

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日本无线

更新时间:2026-5-23 17:49:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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SOP-8
49000
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