GFT20B12晶体管资料

  • GFT20B12别名:GFT20B12三极管、GFT20B12晶体管、GFT20B12晶体三极管

  • GFT20B12生产厂家

  • GFT20B12制作材料:GTO-Thy

  • GFT20B12性质

  • GFT20B12封装形式:直插封装

  • GFT20B12极限工作电压:1200V

  • GFT20B12最大电流允许值:7A

  • GFT20B12最大工作频率:<1MHZ或未知

  • GFT20B12引脚数:2

  • GFT20B12最大耗散功率

  • GFT20B12放大倍数

  • GFT20B12图片代号:E-43

  • GFT20B12vtest:1200

  • GFT20B12htest:999900

  • GFT20B12atest:7

  • GFT20B12wtest:0

  • GFT20B12代换 GFT20B12用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 120V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 44mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 120V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 42mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

ISC

无锡固电

100 Base-T DUAL port through hole Magnetics

文件:101.44 Kbytes Page:1 Pages

TNK

讯康电子

Power MOSFETs120V, 20A, N-channel

文件:1.45755 Mbytes Page:7 Pages

SHINDENGEN

Power MOSFET

文件:790.62 Kbytes Page:4 Pages

SHINDENGEN

更新时间:2026-1-2 16:10:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HITACHI/日立
2023+
MODULE
653
主打螺丝模块系列
HITACHI
专业模块
MODULE
8513
模块原装主营-可开原型号增税票
PHI-CON
23+
DIPSIP
58200
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
23+
6000
现货 有价可谈
原厂
2023+
模块
600
专营模块,继电器,公司原装现货
AMPHENOL
25+
传感器
396
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