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GES5819晶体管资料

  • GES5819别名：GES5819三极管、GES5819晶体管、GES5819晶体三极管

  • GES5819生产厂家：

  • GES5819制作材料：Si-N/P

  • GES5819性质：低频或音频放大 （LF）_TR

  • GES5819封装形式：直插封装

  • GES5819极限工作电压：50V

  • GES5819最大电流允许值：0.75A

  • GES5819最大工作频率：>135MHZ

  • GES5819引脚数：3

  • GES5819最大耗散功率：0.5W

  • GES5819放大倍数：β>150

  • GES5819图片代号：A-20

  • GES5819vtest：50

  • GES5819htest：135000100

  • GES5819atest：0.75

  • GES5819wtest：0.5

  • GES5819代换 GES5819用什么型号代替：2N5810,2N5811,2N5812,2N5813,2N5814,2N5815,2N5816,2N5817,2N5818,2N5819,2N5820,2N5821,2N5822,2N5823,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
GES5819

Signal Transistors

文件：216.05 Kbytes Page：4 Pages

GESS

GES5819

Silicon Transistors

文件：156.6 Kbytes Page：2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

GES5819

Trans GP BJT PNP 40V 0.75A

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

GES5819-J1

Small Signal Transistors

文件：54.29 Kbytes Page：1 Pages

CENTRAL

PRLL5819

Schottky barrier diodes

DESCRIPTION The PRLL5817 to PRLL5819 types are Schottky barrier diodes fabricated in planar technology, and encapsulated in SOD87 hermetically sealed glass SMD packages incorporating ImplotecTM(1) technology. FEATURES • Low switching losses • Fast recovery time • Guard ring protected • Herme

PHILIPS

飞利浦

SCD5819

SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

FEATURES * Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 * For surface mounted applications * Low profile package * Built-in strain relief * Metal to silicon rectifier , majority carrier conduction * Low power loss , High efficiency * High current capability

ZOWIE

智威

AN5819K

Sound multiplex demodulator IC for TV in the North American market

文件：109.97 Kbytes Page：11 Pages

PANASONIC

松下

FM5819

SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 20 to 40 Volts CURRENT 1.0 Ampere)

文件：22.87 Kbytes Page：2 Pages

RECTRON

丽正

SM5819

SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 20 to 40 Volts CURRENT 1.0 Ampere)

文件：191.38 Kbytes Page：2 Pages

RECTRON

丽正

GES5819产品属性

  • 类型

    描述

  • Configuration：

    Single

  • Material：

    Si

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：

    0.75@50mA@500mAV

  • Maximum Collector Emitter Voltage：

    40V

  • Maximum DC Collector Current：

    0.75A

  • Maximum Emitter Base Voltage：

    5V

  • Maximum Operating Temperature：

    135ﾡC

  • Maximum Power Dissipation：

    500mW

  • Maximum Transition Frequency：

    135(Min)MHz

  • Type：

    PNP

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