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GE6061晶体管资料

  • GE6061别名:GE6061三极管、GE6061晶体管、GE6061晶体三极管

  • GE6061生产厂家

  • GE6061制作材料:Si-N+Darl+Di

  • GE6061性质:INT.SPEEFUP_DIODE

  • GE6061封装形式:直插封装

  • GE6061极限工作电压:450V

  • GE6061最大电流允许值:20A

  • GE6061最大工作频率:<1MHZ或未知

  • GE6061引脚数:2

  • GE6061最大耗散功率:125W

  • GE6061放大倍数:β>100

  • GE6061图片代号:E-44

  • GE6061vtest:450

  • GE6061htest:999900

  • GE6061atest:20

  • GE6061wtest:125

  • GE6061代换 GE6061用什么型号代替:MJ10004,MJ10005,MJ10008,MJ10009,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
GE6061

NPN POWER DARLINGTON TRANSISTORS

文件:94.88 Kbytes Page:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

GE6061

Trans Darlington NPN 400V 20A

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

Precision CMOS Single Micropower Operational Amplifier

文件:312.02 Kbytes Page:12 Pages

NSC

国半

Precision CMOS Single Micropower Operational Amplifier

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NSC

国半

Precision CMOS Single Micropower Operational Amplifier

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NSC

国半

Precision CMOS Single Micropower Operational Amplifier

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NSC

国半

Precision CMOS Single Micropower Operational Amplifier

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NSC

国半

GE6061产品属性

  • 类型

    描述

  • Number of Elements per Chip:

    1

  • Minimum Operating Temperature:

    -65ᄀC

  • Minimum DC Current Gain:

    40@10A@5V30@15A@5V

  • Maximum Operating Temperature:

    150ᄀC

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    5V

  • Maximum Continuous DC Collector Current:

    20A

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    400V

  • Maximum Collector Base Voltage:

    450V

  • Maximum Base Emitter Saturation Voltage:

    2.5@0.5A@5A3.5@2A@20A

  • Configuration:

    Single

更新时间:2026-5-18 17:33:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
GE6061
25+
269
269

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