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GE12047CCA3

1200VhalfbridgeSiliconCarbidePowermodule

Features •HighlyreliableGESiCMOSFETdevices •LowRDS(ON)(3.1mΩ)(deviceonly) •Lowstrayinductance(6nH) •SiCdiequalifiedto+200C •Ultralowswitchinglossesoverentire operatingrange •Bodydiodewithminimalreverse recovery •Integratedtemperaturesensing •DedicatedDES

GECGeneral Electric Company

美国通用电气公司

GEC
更新时间:2025-7-22 10:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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