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N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 20V,25A,RDS(ON)=23mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=33mW@VGS=2.5V. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 20V,25A,RDS(ON)=23mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=33mW@VGS=2.5V. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS

DiscreteDiodes

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SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors

矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司

SIRECTIFIER
更新时间:2025-7-25 20:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET/華瑞
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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