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GD150MLX65L3S

650V/150A 3-level in one-package

General Description STARPOWER IGBT Power Module provides ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as 3-level-application. Features  Low VCE(sat) Trench IGBT technology  Low switching loss  6μs short circuit capability  V

STARPOWER

斯达半导体

GD150MLX65L3S

600V/650V IGBT模块

额定电压: 650V\n额定电流: 150A\n电路结构: ML=3 Level,Diode Clampling,NPC1\n芯片系列: X=Trench FS IGBT, Low Loss;

STARPOWER

斯达半导体

更新时间:2026-5-28 15:13:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
26+
NA
60000
只有原装 可配单
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