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Insulated Gate Bipolar Transistor (Ultrafast IGBT), 106 A

FEATURES • Trench IGBT technology • Square RBSOA • Positive VCE(on) temperature coefficient • Fully isolated package • Very low internal inductance (≤ 5 nH typical) • Industry standard outline • UL approved file E78996 • Material categorization: for definitions of compliance please see ww

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Insulated Gate Bipolar Transistor (Ultrafast IGBT), 106 A

FEATURES • Trench IGBT technology • Square RBSOA • Positive VCE(on) temperature coefficient • Fully isolated package • Very low internal inductance (≤ 5 nH typical) • Industry standard outline • UL approved file E78996 • Material categorization: for definitions of compliance please see ww

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Insulated Gate Bipolar Transistor

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更新时间:2026-1-5 20:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAMWHA
25+
SMD
54648
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VANGUARD/威兆
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TSOP-6
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电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价

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