型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
GB50XF120K

IGBT SIXPACK MODULE

Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology • Low Diode VF • 10µs Short Circuit Capability • Square RBSOA • HEXFRED Antiparallel Diode with Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics • Positive VCE (on) Temperature Coefficient • Ceramic DBC Substrate • Low Stray Inducta

IRF

GB50XF120K

IGBT SIXPACK MODULE

Infineon

英飞凌

GB50XF120K产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GB50XF120K

  • 功能描述

    IGBT 模块 75 Amp 1200 Volt Non-Punch Through

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2025-10-31 10:29:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FOXCONN
FPC 0.5 6P 翻盖
71342
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