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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
GB35XF120K | Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology 文件：325.58 Kbytes Page：9 Pages | IRF |   | |
GB35XF120K | 封装/外壳：ECONO2 包装：托盘 描述：IGBT MODULE 1200V 50A 284W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | ETC 知名厂家 | ETC | |
GB35XF120K产品属性
- 类型
描述
- 型号
GB35XF120K
- 功能描述
IGBT 模块 50 Amp 1200 Volt Non-Punch Through
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
更新时间：2025-8-13 18:25:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
COEV |
2016+ |
SMD |
6523 |
只做原装正品现货!或订货! |
|||
原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
|||
COEV |
1736+ |
SOP |
15238 |
原厂优势渠道 |
|||
GB |
23+ |
1150+ |
6500 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
IR |
23+ |
35A1200V |
595 |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
|||
GIOBEE |
23+ |
QFP |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
ST |
25+ |
TO263 |
16900 |
原装，请咨询 |
|||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
||||
IR |
23+ |
MODULE |
8000 |
只做原装现货 |
|||
IR |
23+ |
MODULE |
7000 |
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