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650 V, 50 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET

1. General description The GAN063-650WSA is a 650 V, 50 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET. It is a normally-off device that combines Nexperia’s state-of-the-art high-voltage GaN HEMT and low-voltage silicon MOSFET technologies — offering superior reliability and performance. 2. Features and benefit

NEXPERIA

安世

更新时间:2025-10-28 17:42:01
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