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650 V, 35 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247 package

1. General description The GAN041-650WSB is a 650 V, 35 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247 package. It is a normally-off device that combines Nexperia’s latest high-voltage GaN HEMT H2 technology and low-voltage silicon MOSFET technologies — offering superior reliability and performance.

NEXPERIA

安世

更新时间:2025-11-2 14:10:01
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