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GAL22V10D-15QP	GAL22V10DeviceDatasheet Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchles	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司
GAL22V10D-15QP	ProductChangeNotifications(PCNs)havebeenissuedtodiscontinuealldevicesinthisdatasheet. Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchl	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司
GAL22V10D-15QP	封装/外壳：24-DIP（0.300"，7.62mm）包装：散装描述：IC CPLD 10MC 15NS 24DIP 集成电路（IC） CPLD（复杂可编程逻辑器件）	ETC 知名厂家	ETC
GAL22V10D-15QP	AllDevicesDiscontinued 文件：718.73 Kbytes Page：23 Pages	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司
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GAL22V10D-15QPN	GAL22V10DeviceDatasheet Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchles	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司
GAL22V10D-15QPN	ProductChangeNotifications(PCNs)havebeenissuedtodiscontinuealldevicesinthisdatasheet. Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchl	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司
GAL22V10D-15QPN	封装/外壳：24-DIP（0.300"，7.62mm）包装：管件描述：IC CPLD 10MC 15NS 24DIP 集成电路（IC） CPLD（复杂可编程逻辑器件）	ETC 知名厂家	ETC
GAL22V10D-15QPN	AllDevicesDiscontinued 文件：718.73 Kbytes Page：23 Pages	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司
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GAL22V10D-15LJ	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchles	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司
GAL22V10D-15LJ	ProductChangeNotifications(PCNs)havebeenissuedtodiscontinuealldevicesinthisdatasheet. Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchl	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司
GAL22V10D-15LJ	GAL22V10DeviceDatasheet Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchles	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司
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GAL22V10D-15QP产品属性

类型
描述
型号
GAL22V10D-15QP
功能描述
SPLD - 简单可编程逻辑器件 5V 22 I/O
RoHS
否
制造商
Texas Instruments
逻辑系列
TICPAL22V10Z
大电池数量
10
最大工作频率
66 MHz
延迟时间
25 ns
工作电源电压
4.75 V to 5.25 V
电源电流
100 uA
最大工作温度
+ 75 C
最小工作温度
0 C
安装风格
Through Hole
封装/箱体
DIP-24

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更新时间：2025-7-25 22:58:00

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