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位置：首页 > IC中文资料第1461页 > GAL22V10D-10LPN

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
GAL22V10D-10LPN

GAL22V10DeviceDatasheet

Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchles

LatticeLattice Semiconductor

莱迪思莱迪思半导体公司

Lattice
GAL22V10D-10LPN

ProductChangeNotifications(PCNs)havebeenissuedtodiscontinuealldevicesinthisdatasheet.

Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchl

LatticeLattice Semiconductor

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Lattice
GAL22V10D-10LPN

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LatticeLattice Semiconductor

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莱迪思莱迪思半导体公司

Lattice
GAL22V10D-10LPN

封装/外壳：24-DIP（0.300"，7.62mm） 包装：管件 描述：IC CPLD 10MC 10NS 24DIP 集成电路（IC） CPLD（复杂可编程逻辑器件）

ETC

知名厂家

GAL22V10D-10LPNI

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LatticeLattice Semiconductor

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Lattice
GAL22V10D-10LPNI

GAL22V10DeviceDatasheet

Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchles

LatticeLattice Semiconductor

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Lattice
GAL22V10D-10LPNI

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Lattice
GAL22V10D-10LPNI

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LatticeLattice Semiconductor

莱迪思莱迪思半导体公司

Lattice
GAL22V10D-10LPNI

封装/外壳：24-DIP（0.300"，7.62mm） 包装：管件 描述：IC CPLD 10MC 10NS 24DIP 集成电路（IC） CPLD（复杂可编程逻辑器件）

ETC

知名厂家

GAL22V10D-10LJ

ProductChangeNotifications(PCNs)havebeenissuedtodiscontinuealldevicesinthisdatasheet.

Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchl

LatticeLattice Semiconductor

莱迪思莱迪思半导体公司

Lattice
GAL22V10D-10LJ

HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic

Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchles

LatticeLattice Semiconductor

莱迪思莱迪思半导体公司

Lattice
GAL22V10D-10LJ

GAL22V10DeviceDatasheet

Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchles

LatticeLattice Semiconductor

莱迪思莱迪思半导体公司

Lattice
GAL22V10D-10LJ

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GAL22V10D-10LPN产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GAL22V10D-10LPN

  • 功能描述

    SPLD - 简单可编程逻辑器件 HI PERF E2CMOS PLD

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 逻辑系列

    TICPAL22V10Z

  • 大电池数量

    10

  • 最大工作频率

    66 MHz

  • 延迟时间

    25 ns

  • 工作电源电压

    4.75 V to 5.25 V

  • 电源电流

    100 uA

  • 最大工作温度

    + 75 C

  • 最小工作温度

    0 C

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    DIP-24

GAL22V10D-10LPN供应商更多...

更新时间：2025-7-28 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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Lattice(莱迪斯)
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