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GAL16V8D-25QP	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL16V8,at3.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestspeedperformanceavailableinthePLDmarket.Highspeederasetimes( Features •HIGHPERFORMANCE	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司
GAL16V8D-25QP	AllDevicesDiscontinued Features •HIGHPERFORMANCEE2CMOS®TECHNOLOGY —3.5nsMaximumPropagationDelay —Fmax=250MHz —3.0nsMaximumfromClockInputtoDataOutput —UltraMOS® AdvancedCMOSTechnology •50to75REDUCTIONINPOWERFROMBIPOLAR —75mATypIcconLowPowerDevice —45mATypIccon	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司
GAL16V8D-25QP	封装/外壳：20-DIP（0.300"，7.62mm）包装：管件描述：IC CPLD 8MC 25NS 20DIP 集成电路（IC） CPLD（复杂可编程逻辑器件）	ETC 知名厂家	ETC
GAL16V8D-25QP	HighPerformanceE2CMOSPLD 文件：340.72 Kbytes Page：23 Pages	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司
GAL16V8D-25QP	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic? 文件：339.82 Kbytes Page：23 Pages	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司
GAL16V8D-25QP	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic? 文件：654.14 Kbytes Page：24 Pages	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司
GAL16V8D-25QP	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic? 文件：395.51 Kbytes Page：22 Pages	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司
GAL16V8D-25QPI	AllDevicesDiscontinued Features •HIGHPERFORMANCEE2CMOS®TECHNOLOGY —3.5nsMaximumPropagationDelay —Fmax=250MHz —3.0nsMaximumfromClockInputtoDataOutput —UltraMOS® AdvancedCMOSTechnology •50to75REDUCTIONINPOWERFROMBIPOLAR —75mATypIcconLowPowerDevice —45mATypIccon	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司
GAL16V8D-25QPI	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL16V8,at3.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestspeedperformanceavailableinthePLDmarket.Highspeederasetimes( Features •HIGHPERFORMANCE	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司
GAL16V8D-25QPN	AllDevicesDiscontinued Features •HIGHPERFORMANCEE2CMOS®TECHNOLOGY —3.5nsMaximumPropagationDelay —Fmax=250MHz —3.0nsMaximumfromClockInputtoDataOutput —UltraMOS® AdvancedCMOSTechnology •50to75REDUCTIONINPOWERFROMBIPOLAR —75mATypIcconLowPowerDevice —45mATypIccon	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司
GAL16V8D-25QPNI	AllDevicesDiscontinued Features •HIGHPERFORMANCEE2CMOS®TECHNOLOGY —3.5nsMaximumPropagationDelay —Fmax=250MHz —3.0nsMaximumfromClockInputtoDataOutput —UltraMOS® AdvancedCMOSTechnology •50to75REDUCTIONINPOWERFROMBIPOLAR —75mATypIcconLowPowerDevice —45mATypIccon	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司
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GAL16V8D-25QPNI	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic? 文件：654.14 Kbytes Page：24 Pages	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司
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GAL16V8D-25QP产品属性

类型
描述
型号
GAL16V8D-25QP
功能描述
SPLD - 简单可编程逻辑器件 5V 16 I/O
RoHS
否
制造商
Texas Instruments
逻辑系列
TICPAL22V10Z
大电池数量
10
最大工作频率
66 MHz
延迟时间
25 ns
工作电源电压
4.75 V to 5.25 V
电源电流
100 uA
最大工作温度
+ 75 C
最小工作温度
0 C
安装风格
Through Hole
封装/箱体
DIP-24

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更新时间：2025-7-26 23:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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2021-4-13
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2019-4-16
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