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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
G8370-10 | InGaAs PIN photodiode InGaAs PIN photodiode Ceramic package with large active area (φ10 mm) Features ● Large active area: φ10 mm ● High sensitivity: 0.95 A/W Typ. (λ=1.55 µm) ● Low dark current ● Low PDL: 5 mdB Typ., 10 mdB Max. ● Photo response non-uniformity: ±2 Typ. Applications ● LD power monitor ● LD ag | HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社 |   | |
G8370-10 | InGaAs PIN photodiode | HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社 | |
G8370-10产品属性
- 类型
描述
- 型号
G8370-10
- 制造商
HAMAMATSU
- 制造商全称
Hamamatsu Corporation
- 功能描述
InGaAs PIN photodiode
更新时间：2026-1-28 14:20:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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