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IGBT

DESCRIPTION · Low Switching Losses · Low VCE (ON) · Ultra Low Leakage Current APPLICATIONS · Industrial Power Supplies · Industrial Drives · Solar Inverters

ISC

无锡固电

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • Low VCE (ON) Trench IGBT Technology • Low Switching Losses • Maximum Junction Temperature 175 °C • 10 μS short Circuit SOA • Square RBSOA • 100 of The Parts Tested for ILM • Positive VCE (ON) Temperature Coefficient • Tight Parameter Distribution • Lead Free Package Benefits

IRF

IGBT

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ISC

无锡固电

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

更新时间:2025-10-28 8:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
IR
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TO-252
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