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G4176

ULTRAFAST MSM PHOTODETECTORS

DESCRIPTION HAMAMATSU realized MSM (Metal-Semiconductor-Metal) Photodetectors having ultrafast responses. The GaAs MSM Photodetector G4176 features 30ps response time for both rise & fall while keeping a low dark current (100pA at Ta=25 °C). The rise time of the InGaAs MSM Photodetector G709

HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

滨松光子滨松光子学株式会社

ULTRAFAST MSM PHOTODETECTORS

DESCRIPTION HAMAMATSU realized MSM (Metal-Semiconductor-Metal) Photodetectors having ultrafast responses. The GaAs MSM Photodetector G4176 features 30ps response time for both rise & fall while keeping a low dark current (100pA at Ta=25 °C). The rise time of the InGaAs MSM Photodetector G709

HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

滨松光子滨松光子学株式会社

MSM(金属-半导体-金属)结构的光探测器具有超快的响应。 该G4176型GaAs MSM光探测器具有30ps的上升时间和下降时间,同时保持了低暗电流(Ta=25度下100pA )。而G7096型InGaAsMSM探测器的上升时间为40ps。感光面上制造了对称型和指状组合型的肖特基接触,其尺寸比其他快速光探测器更大,因此更容易与光路组装。所以,MSM光探测器适合光高速波形测量和光通信。   详细参数 .conclass {

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滨松光子滨松光子学株式会社

MSM(金属-半导体-金属)结构的光探测器具有超快的响应。 该G4176型GaAs MSM光探测器具有30ps的上升时间和下降时间,同时保持了低暗电流(Ta=25度下100pA )。而G7096型InGaAsMSM探测器的上升时间为40ps。感光面上制造了对称型和指状组合型的肖特基接触,其尺寸比其他快速光探测器更大,因此更容易与光路组装。所以,MSM光探测器适合光高速波形测量和光通信。   详细参数 .conclass {

HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

滨松光子滨松光子学株式会社

ULTRAFAST MSM PHOTODETECTORS G4176 SERIES (GaAs)

文件:62 Kbytes Page:3 Pages

HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

滨松光子滨松光子学株式会社

Bandpass Filters

文件:113.69 Kbytes Page:1 Pages

FILTRAN

费尔兰特

VibraKrimp??Quick Disconnect

文件:88.13 Kbytes Page:3 Pages

MOLEX

莫仕

Power MOSFET -30 V, -9.6 A, P-Channel, SOIC-8

文件:91.96 Kbytes Page:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

PBX Telecommunication Modem FAX Cards, Modems In PC Measurement Instrumentation

文件:178.24 Kbytes Page:6 Pages

TOSHIBA

东芝

G4176产品属性

  • 类型

    描述

  • 应用领域:

    应用领域 分析计测医疗学术工业民用其他 

  • 详细说明:

    详细说明

更新时间:2026-5-15 19:15:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SSC
22+
LED
20000
公司只做原装 品质保障
TI
2025+
SSOP
3565
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05+
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