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LowVCE(sat)HighspeedIGBT

LowVCE(sat)HighspeedIGBT Features •InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD •2ndgenerationHDMOSTMprocess •LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DC

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

Extremelyenhancedavalanchecapability

ETC

知名厂家

IGBT

GeneralDescription EmployingNPTtechnology,Fairchild’sANseriesofIGBTsprovideslowconductionandswitchinglosses.TheAN seriesoffersansolutionforapplicationsuchasinductionheating(IH),motorcontrol,generalpurposeinvertersanduninterruptiblepowersupplies(UPS).

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

Insulated-GateBipolarTransistorinaTO-3PPlasticPackage

文件:769.42 Kbytes Page:6 Pages

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN

1200V,25ANPTTrenchIGBT

文件:1.38861 Mbytes Page:9 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2025-5-19 13:39:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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25+
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23+
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全新原装正品现货,支持订货
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24+
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    G2R-1-12V,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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    瀚佳科技(深圳)有限公司专业为工厂一站式BOM配单服务

    2019-4-16
  • G2995-DDR终端稳压器

    概述在G2995是一个线性稳压器设计,以满足JEDECSSTL-2和SSTL-3(系列存根终止逻辑)的DDR-SDRAM终端规范。它包含一个高速运算放大器,可提供出色的负载瞬态响应。这设备可以提供1.5A的连续电流和瞬态峰达至所需的应用程序中的3ADDR-SDRAM终止。具有独立VSENSE引脚,G2995可提供卓越的负载调节。在G2995提供作为参考VREF输出芯片组和DIMM的申请。在G2995可以轻松地提供准确的VTT和VREF电压,无需外部电阻器的印刷电路板领域可以减少。静态电流低至作为280μA@2.5V。因此,电力消耗满足低功耗的应用。

    2013-1-29