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Trenchgatefield-stopIGBT,Hseries1200V,25Ahighspeed

Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.ThesedevicesarepartoftheHseries ofIGBTs,whichrepresentanoptimum compromisebetweenconductionandswitching lossestomaximizetheefficiencyofhigh switchingfrequency

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

Trenchgatefield-stopIGBT,Hseries1200V,25Ahighspeed

Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.ThesedevicesarepartoftheHseries ofIGBTs,whichrepresentanoptimum compromisebetweenconductionandswitching lossestomaximizetheefficiencyofhigh switchingfrequency

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意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
更新时间:2025-7-22 17:10:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
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  • G20N50C公司原装现货/随时可以发货

    瀚佳科技(深圳)有限公司专业为工厂一站式BOM配单服务

    2019-4-16
  • G2995-DDR终端稳压器

    概述在G2995是一个线性稳压器设计,以满足JEDECSSTL-2和SSTL-3(系列存根终止逻辑)的DDR-SDRAM终端规范。它包含一个高速运算放大器,可提供出色的负载瞬态响应。这设备可以提供1.5A的连续电流和瞬态峰达至所需的应用程序中的3ADDR-SDRAM终止。具有独立VSENSE引脚,G2995可提供卓越的负载调节。在G2995提供作为参考VREF输出芯片组和DIMM的申请。在G2995可以轻松地提供准确的VTT和VREF电压,无需外部电阻器的印刷电路板领域可以减少。静态电流低至作为280μA@2.5V。因此,电力消耗满足低功耗的应用。

    2013-1-29