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Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed

Description These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the H series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency conve

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed

Description These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the H series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency conve

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-10-18 22:59:01
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