| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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G23N60UFD | Ultra-Fast IGBT General Description Fairchilds Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) UFD series provides low conduction and switching losses. UFD series is designed for the applications such as motor control and general inverters where High Speed Switching is required. Features • High Speed Switching • Low | Fairchild 仙童半导体 |   | |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：585.96 Kbytes Page：5 Pages | Fuji 富士通 | | ||
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：585.01 Kbytes Page：5 Pages | Fuji 富士通 | | ||
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：592.4 Kbytes Page：5 Pages | Fuji 富士通 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：324.14 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：576.1 Kbytes Page：5 Pages | Fuji 富士通 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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G1454LR41U
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2020-11-13G2401CG
G2401CG，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-6-10G219R-D3，G28F640J5-150，G571S1，G6CH-1G8425-L224-R，
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2020-2-26G2R-1-12V
G2R-1-12V ，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-10-12G20N50C公司原装现货/随时可以发货
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2019-4-16G2995-DDR终端稳压器
概述 在G2995是一个线性稳压器设计，以满足JEDEC SSTL- 2和SSTL- 3（系列存根终止逻辑）的DDR- SDRAM终端规范。它包含一个高速运算放大器，可提供出色的负载瞬态响应。这设备可以提供1.5A的连续电流和瞬态峰达至所需的应用程序中的3ADDR- SDRAM终止。具有独立VSENSE引脚，G2995可提供卓越的负载调节。在G2995提供作为参考VREF输出芯片组和DIMM的申请。在G2995可以轻松地提供准确的VTT和VREF电压，无需外部电阻器的印刷电路板领域可以减少。静态电流低至作为280μA@2.5V。因此，电力消耗满足低功耗的应用。
2013-1-29
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