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G23N60UFD

Ultra-FastIGBT

GeneralDescription FairchildsInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)UFDseriesprovideslowconductionandswitchinglosses.UFDseriesisdesignedfortheapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswhereHighSpeedSwitchingisrequired. Features •HighSpeedSwitching •Low

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

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FujiFuji Electric

富士电机富士电机株式会社

Fuji

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

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FujiFuji Electric

富士电机富士电机株式会社

Fuji

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

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FujiFuji Electric

富士电机富士电机株式会社

Fuji

iscN-ChannelMOSFETTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

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FujiFuji Electric

富士电机富士电机株式会社

Fuji
更新时间:2025-7-21 15:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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G23N60UFD芯片相关品牌

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G23N60UFD数据表相关新闻

  • G1454LR41U

    https://hch01.114ic.com/

    2020-11-13
  • G2401CG

    G2401CG,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-6-10
  • G219R-D3,G28F640J5-150,G571S1,G6CH-1G8425-L224-R,

    G219R-D3,G28F640J5-150,G571S1,G6CH-1G8425-L224-R,

    2020-2-26
  • G2R-1-12V

    G2R-1-12V,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-10-12
  • G20N50C公司原装现货/随时可以发货

    瀚佳科技(深圳)有限公司专业为工厂一站式BOM配单服务

    2019-4-16
  • G2995-DDR终端稳压器

    概述在G2995是一个线性稳压器设计,以满足JEDECSSTL-2和SSTL-3(系列存根终止逻辑)的DDR-SDRAM终端规范。它包含一个高速运算放大器,可提供出色的负载瞬态响应。这设备可以提供1.5A的连续电流和瞬态峰达至所需的应用程序中的3ADDR-SDRAM终止。具有独立VSENSE引脚,G2995可提供卓越的负载调节。在G2995提供作为参考VREF输出芯片组和DIMM的申请。在G2995可以轻松地提供准确的VTT和VREF电压,无需外部电阻器的印刷电路板领域可以减少。静态电流低至作为280μA@2.5V。因此,电力消耗满足低功耗的应用。

    2013-1-29