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G20N120E2

34A, 1200V N-Channel IGBT

RENESAS

瑞萨

34A, 1200V N-Channel IGBT

Description The HGTG20N120E2 is a MOS gated, high voltage switch ing device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop vari

Intersil

更新时间:2025-10-6 13:21:00
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