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G18NP06Y

N and P Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G18NP06Y uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

G18NP06Y

60/-60V N+P Channel TRENCH MOSFET

GOFORD

谷峰半导体

更新时间:2026-1-5 9:46:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
GMT/致新
24+
NA/
62130
原装现货,当天可交货,原型号开票
GMT
25+
SMD
15000
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