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G15N06K

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G15N06K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

G15N06K

60V N Channel TRENCH MOSFET

GOFORD

谷峰半导体

MOSFET

GOFORD

谷峰半导体

N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR

DESCRIPTION The UTC 15N06 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

UTC

友顺

15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:245.73 Kbytes Page:6 Pages

UTC

友顺

Fast Switching

文件:67.34 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.00223 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:153.75 Kbytes Page:4 Pages

PANJIT

強茂

更新时间:2025-10-20 22:59:00
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