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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
G12N60C3D

UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode24A,600V

TheHGTG12N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitching devicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolar transistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFET andthelowon−stateconductionlossofabipolartransistor.Themuch loweron−statevoltagedropvariesonlymoder

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
12N60C3D

24A,600V,UFSSERIESN-CHANNELIGBTWITHANTI-PARALLELHYPERFASTDIODE

TheHGTG12N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
HGTG12N60C3D

24A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode

Description TheHGTG12N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvarieso

HARRIS

HARRIS corporation

HARRIS
HGTG12N60C3D

24A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode

TheHGTG12N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil
HGTG12N60C3D

24A,600V,UFSSERIESN-CHANNELIGBTWITHANTI-PARALLELHYPERFASTDIODE

TheHGTG12N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

G12N60C3D供应商更多...

更新时间：2024-5-24 18:26:00
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