| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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G10N65F | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description This advanced MOSFET family has optimized on-state resistance, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for high efficiency switch mode power supplies. Application l Active power factor correction l | GOFORD 谷峰半导体 |   | |
G10N65F | 650V N Channel PLANAR MOSFET | GOFORD 谷峰半导体 | | |
N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：2.33384 Mbytes Page：11 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET 文件：2.17857 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Drain Current ID= 2A@ TC=25C 文件：136.58 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
10A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.07913 Mbytes Page：10 Pages | WXDH 东海半导体 | | ||
10A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.07854 Mbytes Page：10 Pages | WXDH 东海半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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SHINDENGEN |
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SHINDENGEN/新电元 |
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GOFORD |
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ST |
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SHINDENGE |
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TO220F |
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TE/泰科 |
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2019-4-16
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