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G1003A-SOT23-3L

HighdensitycelldesignforultralowRdson

Description TheG1003AusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications.ItisESDprotected. GeneralFeatures ●VDSSRDS(ON)@10V(typ)ID 100V135mΩ5A ●Highdensi

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑风微电子广东佑风微电子有限公司

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更新时间:2025-7-29 23:00:00
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