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G1003A-SOT23-3L

High density cell design for ultra low Rdson

Description The G1003A uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protected. General Features ● VDSS RDS(ON)@10V (typ) ID 100V 135mΩ 5A ● High densi

YFWDIODE

佑风微

更新时间:2025-10-19 22:59:00
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