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G09N06S2

DUAL N-Channel Trench MOSFET

Description The G09N06S2 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application ⚫ Power switch ⚫ DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

G09N06S2

60V N+N Channel TRENCH MOSFET

GOFORD

谷峰半导体

更新时间:2025-10-19 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ADI/亚德诺
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原装正品支持实单
NK/南科功率
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SOP-8
986966
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ADI/亚德诺
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原封装
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