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G08N06S

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheG08N06Susesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半导体

GOFORD

N-ChannelEnhancement

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ETC1

N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS60V RDSON(MAX.)8mΩ ID60A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EXCELLIANCE

N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: NChannelMOSFET UIS,Rg100%Tested Pb-FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

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N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

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EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

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更新时间:2025-7-23 23:00:00
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