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MRFG35003ANT1中文资料

厂家型号

MRFG35003ANT1

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473.64Kbytes

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18

功能描述

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

射频GaAs晶体管 3.5GHZ 3W 12V GAASPLD1.5

数据手册

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简称

FREESCALE飞思卡尔

生产厂商

Freescale Semiconductor, Inc

中文名称

飞思卡尔半导体官网

MRFG35003ANT1数据手册规格书PDF详情

3.5 GHz, 3 W, 12 V POWER FET GaAs PHEMT

Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications. Characterized from 500 to 5000 MHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB Customer Premise Equipment (CPE) applications.

• Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 12 Volts, IDQ = 55 mA, Pout = 300 mWatts Avg., 3550 MHz, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01 Probability on CCDF.

Power Gain — 10.8 dB

Drain Efficiency — 24.5

ACPR @ 5 MHz Offset — -43 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth

• 3 Watts P1dB @ 3550 MHz, CW

• Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• RoHS Compliant

• In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.

MRFG35003ANT1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRFG35003ANT1

  • 功能描述

    射频GaAs晶体管 3.5GHZ 3W 12V GAASPLD1.5

  • RoHS

  • 制造商

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型

    pHEMT

  • 频率

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益

    10 dB

  • 噪声系数

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值)

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压

    - 8 V

  • 漏极连续电流

    3 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 功率耗散

    10 W

更新时间:2025-10-11 17:35:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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