位置：MRF18030ALSR3 > MRF18030ALSR3详情
MRF18030ALSR3中文资料
MRF18030ALSR3数据手册规格书PDF详情
RF Power Field Effect Transistors
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
Designed for GSM and EDGE base station applications with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. Specified for GSM 1805-1880 MHz.
• Typical GSM Performance:
Power Gain - 14 dB (Typ) @ 30 Watts
Efficiency - 50 (Typ) @ 30 Watts
• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 30 Watts CW Output Power
Features
• Internally Matched for Ease of Use
• High Gain, High Efficiency and High Linearity
• Integrated ESD Protection
• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness
• Low Gold Plating Thickness on Leads, 40μ″ Nominal.
• RoHS Compliant
• in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 inch Reel.
MRF18030ALSR3产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF18030ALSR3
- 功能描述
IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> RF FET
- 系列
-
- 产品目录绘图
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 标准包装
3,000
- 系列
-
- 晶体管类型
N 通道 JFET
- 频率
-
- 增益
- 电压 -
- 测试
-
- 额定电流
30mA
- 噪音数据
- 电流 -
- 测试
- 功率 -
- 输出
- 电压 -
- 额定
25V
- 封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装
SOT-23-3（TO-236）
- 包装
带卷(TR)
- 产品目录页面
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Freescale |
24+ |
NI-400S |
750 |
原装现货假一罚十 |
|||
FREESCALE |
24+ |
NI-400S |
250 |
||||
FREESCALE |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
FREESCALE |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
FREESCALE |
23+ |
465F-03 |
1200 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
FREESCALE |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
|||
FREESCALE |
22+ |
N/A |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
FREESCALE |
23+ |
NA |
25630 |
原装正品 |
|||
FREESCALE |
NA |
50 |
可订货,请确认 |
||||
FAIRCHILD |
23+ |
NI-400S |
9526 |
MRF18030ALSR3 资料下载更多...
MRF18030ALSR3 芯片相关型号
- BUL510_03
- BUL741_0707
- M24C01RDW6TG
- M24C02WDW6TG
- M24C16RDW6TG
- M24C64WBN6TG
- MRF1513NT1
- MRF1550N
- MRF1570N
- MRF19060
- MRF6S9060N
- MRF6S9130HR3
- MRF6V2300NR1
- MRF6V4300NBR1
- MRF6VP3450HR5
- XC6121C625ML
- XC6121D225ML
- XC6121E225ML
- XC6202PB32DH
- XC6202PB82DH
- XC6202PC22DH
- XC6202PC52DH
- XC6202PD32DH
- XC6204D44APR
- XC6204D46APR
- XC6204E45APR
- XC6204F47APR
- XC6204G45APR
- XC6204G48APR
- XC6204H48APR
freescale相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
Freescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔半导体
中文资料: 31491条
飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)是全球领先的半导体公司，全球总部位于美国德州的奥斯汀市。专注于嵌入式处理解决方案。飞思卡尔面向汽车、网络、工业和消费电子市场，提供的技术包括微处理器、微控制器、传感器、模拟集成电路和连接。飞思卡尔的一些主要应用和终端市场包括汽车安全、混合动力和全电动汽车、下一代无线基础设施、智能能源管理、便携式医疗器件、消费电器以及智能移动器件等。在全世界拥有多家设计、研发、制造和销售机构。Gregg Lowe是总裁兼CEO，该公司在纽约证券交易所股票代码(NYSE)：FSL，在2013年投入了7.55亿美元的研发经费，占全年净销售额的18
