位置:BD439 > BD439详情
BD439中文资料
BD439产品属性
- 类型
描述
- 型号
BD439
- 功能描述
两极晶体管 - BJT 4A 60V 36W NPN
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
23+ |
TO-225AA,TO-126-3 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
onsemi(安森美) |
23+ |
TO-225 |
1259 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
ON/安森美 |
21+ |
TO126 |
28000 |
原厂原装货/代理渠道 |
|||
长电 |
23+ |
TO-126 |
632000 |
一级分销商 |
|||
ON/安森美 |
23+/24+ |
TO126 |
9865 |
主推型号,原装正品,终端BOM表可配单,可开13点税 |
|||
NXP |
TO-126 |
12500 |
16 |
只做原装进口IOR-TI-ST,可以送样品 |
|||
CJ |
2017+ |
TO126 |
65895 |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
|||
PHILIPS |
15+ |
TO126 |
1436 |
现货-ROHO |
|||
ON |
08+ |
CASE77 |
6000 |
||||
STM |
16+ |
原厂封装 |
4000 |
原装现货假一罚十 |
BD439S 价格
参考价格:¥0.9490
BD439 资料下载更多...
BD439 芯片相关型号
- 0022172047_17
- 0022172172_17
- 2N6131
- 357-048-420-258
- C0805X224K3RACTU
- CDR31BX103AKZS
- DISP0165CTSP
- DMS3100E14S-29SCBSL-0
- DMS3100F10SL-29PBSL-0
- DMS3100F10SL-29PCBSN-1
- DMS3100F12S-29SBSL-0
- DMS3100R10SL-29PBSN-1
- DMS3100R14S-29PBSL-0
- DMS3101E16S-29SBSL-0
- DMS3101R16S-29SBSN-1
- DMS3102F10SL-29SBSL-0
- DMS3102R10SL-29PCBSL-0
- DMS3106F10SL-29PCBSL-0
- DMS3106F12S-29PCBSL-0
- DMS3106F16S-29SBSL-0
- DMS3106R14S-29SBSN-1
- MMBT2907AG
- NCP18XH103F03RB
- NCP18XH103F03RB_17
- NLV32T-2R2J-EF
- T496C227K010CC612A
- T496D227K016CH641C
- T496D227K016CH651C
- T496D227M016CC612A
- T496X227K025CT641C
BD439 晶体管资料
BD439别名:BD439三极管、BD439晶体管、BD439晶体三极管
BD439生产厂家:德国AEG公司_德国椤茨标准电器公司_美国摩托罗拉半
BD439制作材料:Si-NPN
BD439性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)
BD439封装形式:直插封装
BD439极限工作电压:60V
BD439最大电流允许值:4A
BD439最大工作频率:<1MHZ或未知
BD439引脚数:3
BD439最大耗散功率:36W
BD439放大倍数:
BD439图片代号:B-21
BD439vtest:60
BD439htest:100000100
- BD439atest:4
BD439wtest:36
BD439代换 BD439用什么型号代替:BD187,BD197,3DD64C,
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 佛山市蓝箭电子股份有限公司
佛山市蓝箭电子股份有限公司是广东省高新技术企业,国内半导体器件专业研发制造商。公司前身是佛山市无线电四厂,创建于七十年代初。 1998年转制成有限责任公司,2012年股改为佛山市蓝箭电子股份有限公司。目前已形成年产100亿只的生产规模,是华南地区主要的半导体器件生产基地之一。 公司厂区位于佛山市禅城区,厂房面积4.5万平方米。公司拥有大量先进的生产线,产品系列有各种封装的双极型晶体管、场效应晶体管(MOSFET)、各种开关、稳压、肖特基(SBD)、快恢复(FRD)等二极管、晶闸管(可控硅)、集成电路(IC)等,产品广泛应用于家用电器、电源、IT数码、通信、新能源、汽车电子、仪器仪表、显示屏、