乾野微纳专业从事功率半导体器件研发近20年，拥有一支行业经验丰富的研发团队，公司成立至今一直致力于半导体功率器件的研发和应用，产品广泛应用在各类消费市场。与世界一流晶圆厂合作，为产品的高质量打下坚实的基础。2018年超结场效应管取得突破性进展，达到行业先进水平，跻身国内领先的半导体功率器件厂家。公司在IGBT、碳化硅领域提前布局，已申请授权相关专利多件。2020年自有封装形式TDHD问世，去掉了封装电感、封装内阻、封装热阻开关速度大大提高，MOS本身发热大大降低，散热大大提升。2021年组建十万级无尘车间, TDHD、WLCSP封装实现量产。

公司总部位于江苏省无锡市，并且在香港、惠州、深圳、上海设有分公司和办事处。致力于把公司打造成国内一流、世界先进的半导体功率器件厂。

各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产