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SI9926DY中文资料

厂家型号

SI9926DY

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5

功能描述

Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

MOSFET SO8 DUAL NCH 20V

数据手册

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生产厂商

FAIRCHILD

SI9926DY数据手册规格书PDF详情

General Description

These N-Channel 2.5V specified MOSFETs use Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 10V).

Features

• 6.5 A, 20 V. RDS(ON) = 0.030 Ω @ VGS = 4.5 V RDS(ON) = 0.043 Ω @ VGS = 2.5 V.

• Optimized for use in battery protection circuits

• ±10 VGSS allows for wide operating voltage range

• Low gate charge

Applications

• Battery protection

• Load switch

• Power management

SI9926DY产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI9926DY

  • 功能描述

    MOSFET SO8 DUAL NCH 20V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-27 9:04:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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