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IRF510N中文资料
IRF510N数据手册规格书PDF详情
FEATURES
• Avalanche Rugged Technology
• Rugged Gate Oxide Technology
• Lower Input Capacitance
• Improved Gate Charge
• Extended Safe Operating Area
• 175°C Operating Temperature
• Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS= 100V
• Lower RDS(ON) : 0.289 Ω(Typ.)
更新时间：2025-10-4 10:10:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
21+ |
TO-220 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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IR |
2022+ |
TO-220 |
7500 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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IR |
23+ |
TO-220 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
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IR |
TO-220 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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原装正品 |
23+ |
TO-220 |
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IR |
23+ |
TO-220 |
8000 |
只做原装现货 |
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IR |
23+ |
TO-220 |
7000 |
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