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HGT1S20N60C3S9A中文资料

厂家型号

HGT1S20N60C3S9A

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153.1Kbytes

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8

功能描述

45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT

IGBT 晶体管 45a 600V N-Ch IGBT UFS Series

数据手册

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生产厂商

FAIRCHILD

HGT1S20N60C3S9A数据手册规格书PDF详情

This family of MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only

moderately between 25°C and 150°C.

Features

• 45A, 600V, TC = 25°C

• 600V Switching SOA Capability

• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 108ns at TJ = 150°C

• Short Circuit Rating

• Low Conduction Loss

• Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”

HGT1S20N60C3S9A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HGT1S20N60C3S9A

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 45a 600V N-Ch IGBT UFS Series

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-3 16:20:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD
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FAIRCHILD
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ON/安森美
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6000
专业配单原装正品假一罚十